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G3VM-31HR1光敏半導體實際焊盤尺寸OMRON
更新時間:2020-09-15   點擊次數:801次

SOP6針封裝,實現與機械式繼電器相當的低導通電阻、高容量開關的光敏半導體MOS FET

  • 連續負載電流(大) 4.5A(9A)*
    * C連接時的值為()中的值。

 LED順電壓 VF 規定順電流值下的LED陽極、陰極間電壓降 逆電流 IR 流向LED反方向(陰極、陽極間)的漏電流 (輸入側)端子間容量 CT LED陽子、陰子間的靜電容量 觸發LED順電流 IFT 使輸出MOS FET進入ON狀態時所需輸入電流IF的小值 復位電流 IFC 為保持輸出MOS FET處于OFF狀態而流動的電流(漏電流等)IF的大值 大輸出導通電阻 RON 規定的導通狀態下繼電器輸出端子間的電阻值 開路時漏電流

ILeak OFF狀態下流向繼電器輸出端子間的漏電流 (輸出側)端子間容量 COFF 繼電器輸出端子間的靜電容量 輸入輸出間容量 CI-O 輸入端子―輸出端子間的靜電容量 輸出輸入間容量絕緣電阻 RI-O 規定電壓值下輸入端子―輸出端子間的電阻值 動作時間 tON 1a型:輸入OFF→ON時至輸出波形由100%變為10%所需的時間 1b型:輸入ON→OFF時至輸出波形由100%變為10%所需的時間 復位時間 tOFF 1a型:輸入ON→OFF時至輸出波形由0%變為90%所需的時間 1b型:輸入OFF→ON時至輸出波形由0%變為90%所需的時間

外形尺寸

(單位 : mm)

※標記內容與實際商品有所不同。

G3VM-31HR1

  • 表面安裝端子

    (重量:0.13g)

    表面安裝端子
  • 實際焊盤尺寸

    (推薦值 TOP View)

    實際焊盤尺寸端子配置/內部接線圖

    (Top View)

    端子配置/內部接線圖

 

額定 / 性能

(Ta = 25°C)

項目符號定值單位條件


LED正向電流IF30mA 
直流正向電流降低比率ΔIF/ºC-0.3mA/ºCTa≥25ºC
LED反向電壓VR6V 
粘合部位溫度TJ125ºC 


負載電壓(峰值AC/DC)VOFF30V 
連續負載電流A連接IO4500mAA連接:峰值AC/DC
B、C連接:DC
B連接
C連接9000
導通電流降低 比率A連接ΔIO/ºC-45mA/ºCTa≥25ºC
B連接
C連接-90
脈沖導通電流Iop13.5At=100ms, Duty=1/10
粘合部位溫度TJ125ºC 
輸入輸出間耐電壓∗1VI-O1500VrmsAC持續1分鐘
使用環境溫度Ta-40~+110ºC無結冰、無凝露
保存溫度Tstg-55~+125ºC
焊接溫度條件 260ºC10s

1.

測量輸入輸出間的耐壓時,分別對LED針腳、受光側針腳統一地施加電壓。連接示例

A連接A連接
B連接B連接
C連接C連接

電氣性能

(Ta = 25°C)

項目符號標準單位條件


LED正向電壓VF1.501.651.80VIF=10mA
反向電流IR------10µAVR=5V
端子間電容CT---70---pFV=0、f=1MHz
觸發LED正向電流IFT---0.33mAIO=1000mA
復位LED正向電流IFC0.1------mAIOFF=10μA


大輸出導通電阻A連接RON---0.022---ΩIF=5mA
IO=4.5A(A、B連接)、
IO=9A(C連接)、
t <1S
B連接---0.011---
C連接---0.006---
A連接------0.03
B連接------0.015
C連接------0.008
開路時漏電流ILEAK------1000nAVOFF=30V
端子間電容COFF---1200---pFV=0、f=1MHz
輸入輸出間電容CI-O---0.8---pFf=1MHz、VS=0V
輸出輸入間電容絕緣電阻RI-O1000108---VI-O=500VDC、
RoH≤60%
動作時間tON---0.62msIF=5 mA、
RL=200Ω、
VDD=20V∗2
復位時間tOFF---0.150.5

2.

動作、復位時間

動作、復位時間

 

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